text: 【材料】郑州大学史志锋Adv. Sci.：非掺杂金属卤化物长余辉发光
  长余辉发光材料作为特殊的储能型材料，在信息存储、应急照明、安全加密和生物标记等许多技术领域有应用价值。探索低成本、高性能、可规模化制备的长余辉发光材料具有重要的科学意义。传统的氧化物基余辉材料由于其良好的化学稳定性和较长的余辉衰减时间，已经在商业应用方面取得了较大的成功。但氧化物余辉材料的晶格能较高，合成温度通常超过1000 ℃，在能源消耗和安全风险方面存在瓶颈。相比而言，金属卤化物钙钛矿的晶格能很低，在室温下就能结晶。而且，无机金属卤化物材料优异的光电性能和良好的缺陷容忍度为开发其长余辉发光提供了可能。近两年，基于无机金属卤化物体系的长余辉发光现象时有报道，但均是基于稀土离子掺杂体系，即人为引入载流子俘获中心。而在纯净非掺杂的金属卤化物体系中实现长余辉发光现象尚未见报道。基于以上背景，物理学院教授课题组在前期研究工作的基础上，筛选出该材料为直接带隙半导体，在254 nm紫外光激发下表现出明亮的黄光发射，斯托克斯位移为322 nm，荧光量子产额高达90%。第一性原理计算和光谱分析表明，该宽带黄光发射可能源于Cd-Cl八面体在激发态下的结构畸变形成的自限域态激子。移除激发源后，CsCdC单晶展现出黄色长余辉发射，余辉衰减时间可持续6000 s。结合热释光循环测试和第一性原理计算，研究团队揭示了CsCdC材料的长余辉发光机理。基质中的固有点缺陷（氯空位等）可在CsCdC禁带中产生具有广泛能量分布的陷阱态，这些陷阱中心捕获激发态电子（也可视为储存电荷载流子的过程），再通过脱陷过程将其释放到发光中心（Cd-Cl八面体），从而产生具有反热淬灭效应的长余辉发光。此外，CsCdC单晶在恶劣的环境中可保持良好的稳定性。例如，在高湿度（75%）和长时间高温（100℃）环境下，材料的结构稳定，发光没有明显的衰减，这启发了研究人员进一步将CsCdC晶体应用于双模信息存储读取的设计。上述研究成果是非掺杂金属卤化物长余辉发光材料领域的重要进展，突显了未来在信息存储方面的巨大应用潜力。这一成果近期发表在国际权威期刊上。文章的第一作者是郑州大学的硕士研究生，通讯作者为郑州大学的教授。该工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、河南省杰出青年科学基金和集成光电子学国家重点实验室开放基金的支持。史志锋，男，1987年生，郑州大学物理学院教授，博士生导师，国家高层次人才计划入选者，河南省高校科技创新团队带头人。2015年毕业于吉林大学，获微电子学与固体电子学专业博士学位，同年入职到郑州大学工作。近年来一直从事新型半导体发光材料与器件的研究工作，以第一/通讯作者在等期刊已发表SCI论文98篇，他引4600余次，含影响因子大于10.0的论文37篇，“ESI高被引论文”10篇，并有15篇SCI论文被选为期刊封面。合著英文专著（章节）4部，授权发明专利13项（第一发明人）。研究成果获河南省自然科学一等奖、徐叙瑢发光学优秀青年学术论文奖、河南省青年科技奖以及河南省青年五四奖章等荣誉。相关工作被科学网、中国科学报、教育部科技发展中心、国家自然科学基金委员会、河南日报、中国半导体照明网等媒体转载报道。自工作以来，共主持国家级科研项目6项、省厅级项目8项。目前为中国青年科技工作者协会会员，兼任、《发光学报》、《光子学报》、《激光与光子学进展》青年编委和专刊客座编辑；担任等40余种期刊审稿专家。