text: 一文读懂紫外可见吸收光谱（二）
  01影响紫外-可见吸收光谱的因素
  UV-Vis光谱主要取决于分子结构和取代基，但是分子中的结构因素和测定条件也会影响光谱。主要体现在对共轭作用的影响。
  1.空间位阻的影响
  各生色因子处于同一平面才能达到有效共轭，若发色团之间或发色团与助色团之间太拥挤，就会排斥于同一平面之外，使共轭程度降低，跃迁所需能量增大，吸收峰蓝移，吸收强度减小。
  2.异构现象的影响
  1)基团异构:共轭体系越大，吸收波长越长，ε越大;共轭体系越小，吸收波长越短，ε越小。
  2)顺反异构:通常顺式异构体由于空间位阻的影响，吸收峰蓝移，吸收强度降低。
  λmax(顺式) <λmax(反式)
  εmax(顺式)<εmax(反式)
  3.跨环效应的影响
  分子中两个非共轭发色团处于一定的空间位置，尤其是环状体系中，有利于生色团电子轨道间的相互作用，这种作用称为跨环效应。使吸收带波长增大，吸收增强。
  4.溶剂效应的影响
  1)n→π*跃所产生的吸收峰随溶剂极性的增加而向短波长方向移动。因为具有孤对电子对的分子能与极性溶剂发生氢键缔合。
  2)π→π*跃迁所产生的吸收峰随着溶剂极性的增加而向长波长方向移动。极性:基态<激发态
  氢键作用强度:基态<激发态
  能级的能量下降:基态<激发态
  实现π→π*跃迁需要的△E增加，故使吸收峰红移。
  5. 体系pH的影响
  体系pH的改变可能引起共轭体系的延长或缩短，从而引起吸收峰位置的改变，对一些不饱和酸、烯醇、酚及苯胺类化合物的紫外光谱影响很大。
  在药物成分分析中，可利用紫外吸收光谱变化规律来推断结构中的酸性、碱性基团。如果化合物溶液从中性变为碱性时，吸收峰发生红移，表明该化合物为酸性物质;如果化合物溶液从中性变为酸性时，吸收峰发生蓝移，表明化合物可能为芳胺。
  02补充紫外-可见吸收光谱在半导体材料中的应用
  能带带隙的测量a.直接禁带半导体材料能带带隙测量根据半导体材料带间跃迁的吸收规律可以知道，对于直接禁带半导体材料，其吸收系数和光子能量的关系一般为1/2规律，即
  因此通过紫外-可见吸收光谱，可以获得直接禁带半导体材料的禁带宽度。b.禁戒的直接跃迁某些情况下，即使在直接禁带的半导体材料中，其价带顶和导带底都在K空间的原点，但是它们之间的跃迁即K=0可能被选择定则禁止，而K不为0的情况下的跃迁反而被允许，一般把这种跃迁称为禁戒的直接跃迁。同样通过计算，可以得到吸收系数和光子能量的关系。
  c.间接禁带半导体材料能带带隙测量同样，对于间接带隙半导体材料，其吸收系数和光子能量的关系一般为平方律，
  因此通过紫外可见吸收光谱，同样可以获得间接禁带半导体材料的禁带宽度。d.掺杂剂浓度的测量部分半导体材料的掺杂浓度可以严重影响其禁带宽度，两者之间存在一定的关系，因此，通过紫外-可见吸收光谱获得半导体的禁带宽度，从而可以获得半导体材料中掺杂浓度的信息。