text: CCD和CMOS的区别
  CCD和CMOS在制造上的主要区别是CCD是集成在半导体单晶材料上,而CMOS是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上,工作原理没有本质的区别
  CCD与CMOS的区别    从技术的角度比较，CCD与CMOS有如下四个方面的不同： 1.信息读取方式CCD电荷耦合器存储的电荷信息，需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合，整个电路较为复杂。CMOS光电传感器经光电转换后直接产生电流（或电压）信号，信号读取十分简单。 2.速度CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下，以行为单位一位一位地输出信息，速度较慢；而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号，还能同时处理各单元的图像信息，速度比CCD电荷耦合器快很多。 3.电源及耗电量CCD电荷耦合器大多需要三组电源供电，耗电量较大；CMOS光电传感器只需使用一个电源，耗电量非常小，仅为CCD电荷耦合器的1/8到1/10，CMOS光电传感器在节能方面具有很大优势。 4.成像质量CCD电荷耦合器制作技术起步早，技术成熟，采用PN结或二氧化硅（SiO2）隔离层隔离噪声，成像质量相对CMOS光电传感器有一定优势。由于CMOS光电传感器集成度高，各光电传感元件、电路之间距离很近，相互之间的光、电、磁干扰较严重，噪声对图像质量影响很大，使CMOS光电传感器很长一段时间无法进入实用。近年，随着CMOS电路消噪技术的不断发展，为生产高密度优质的CMOS图像传感器提供了良好的条件。CCD与CMOS两种传感器在“内部结构”和“外部结构”上都是不同的： 1.内部结构（传感器本身的结构）CCD的成像点为X－Y纵横矩阵排列，每个成像点由一个光电二极管和其控制的一个邻近电荷存储区组成。光电二极管将光线（光量子）转换为电荷（电子），聚集的电子数量与光线的强度成正比。在读取这些电荷时，各行数据被移动到垂直电荷传输方向的缓存器中。每行的电荷信息被连续读出，再通过电荷/电压转换器和放大器传感。这种构造产生的图像具有低噪音、高性能的特点。但是生产CCD需采用时钟信号、偏压技术，因此整个构造复杂，增大了耗电量，也增加了成本。 CMOS传感器周围的电子器件，如数字逻辑电路、时钟驱动器以及模/数转换器等，可在同一加工程序中得以集成。CMOS传感器的构造如同一个存储器，每个成像点包含一个光电二极管、一个电荷/电压转换单元、一个重新设置和选择晶体管，以及一个放大器，覆盖在整个传感器上的是金属互连器（计时应用和读取信号）以及纵向排列的输出信号互连器，它可以通过简单的X－Y寻址技术读取信号。 2.外部结构（传感器在产品上的应用结构）CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下，以行为单位一位一位地输出信息，速度较慢；而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号，还能同时处理各单元的图像信息，速度比CCD电荷耦合器快很多。 CMOS光电传感器的加工采用半导体厂家生产集成电路的流程，可以将数字相机的所有部件集成到一块芯片上，如光敏元件、图像信号放大器、信号读取电路、模数转换器、图像信号处理器及控制器等，都可集成到一块芯片上，还具有附加DRAM的优点。只需要一个芯片就可以实现很多功能，因此采用CMOS芯片的光电图像转换系统的整体成本很低。
  中画幅数码相机（机身价格在7万~20万之间）都是采用的ccd传感器，而全幅单反（机身价格在1.5万~6万之间）、半幅单反（机身价格在3000~1万之间）以及型号较新的卡片机基本上都采用cmos/背照式cmos），低端卡片机（几百块的）还有部分采用老式的ccd传感器。不管什么机子，采用ccd还是cmos都是有它的道理的。光线足够的时候，ccd的画质还是比较好的。而ccd传感器在弱光的时候表现较差，所以全幅半幅单反全面淘汰ccd传感器。这几年兴起的背照式cmos采用了与传统cmos的设计顺序正好相反，向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术。由于不受金属线路和晶体管的防碍，开口率(光电转换部分在一个像素中所占的面积比例)可提高近100%。与其以往表面照射产品相比，背面照射产品在灵敏度(s/n)上具有很大优势。在信噪比方面，背照式cmos影像传感器实现了高画质，在实现了低噪点的同时，提高了接近2倍的灵敏度，因此新开发的cmos影像传感器的信噪比提高。简单地说，背照式cmos在光线不足的时候表现更好，而且这个优势在采用小尺寸传感器的卡片机上更为明显，另外更容易实现高清摄像高速连拍什么的。